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4133923R6030KNZ1C9-Bild.LAPIS Semiconductor

R6030KNZ1C9

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    R6030KNZ1C9
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    R6030KNZ1C9.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-247
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    130 mOhm @ 14.5A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    305W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-247-3
  • Andere Namen
    R6030KNZ1C9TR
    R6030KNZ1C9TR-ND
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    13 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    2350pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    56nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    600V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 600V 30A (Tc) 305W (Tc) Through Hole TO-247
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    30A (Tc)

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R6031425HSYA

R6031425HSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
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R6030822PSYA

R6030822PSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
R6031035ESYA

R6031035ESYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
R6031022PSYA

R6031022PSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
R6030KNX

R6030KNX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R6030ENZC8

R6030ENZC8

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R6030635ESYA

R6030635ESYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
R6030625HSYA

R6030625HSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
R6030835ESYA

R6030835ESYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
R6031222PSYA

R6031222PSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
R6030ENX

R6030ENX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30A TO220

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R6031235ESYA

R6031235ESYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
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R6031435ESYA

R6031435ESYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
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RFQ
R6031225HSYA

R6031225HSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
R6030ENZ1C9

R6030ENZ1C9

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30A TO247

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R6031025HSYA

R6031025HSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
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R6030KNZC8

R6030KNZC8

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO3PF

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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R6030MNX

R6030MNX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

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R6030825HSYA

R6030825HSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.
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R6030KNXC7

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

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