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2095705GPA020A135MN-FD-Bild.Global Power Technologies Group

GPA020A135MN-FD

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    GPA020A135MN-FD
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IGBT 1350V 40A 223W TO3PN
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    1350V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.3V @ 15V, 20A
  • Testbedingung
    600V, 20A, 10 Ohm, 15V
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C
    25ns/175ns
  • Schaltenergie
    2.5mJ (on), 760µJ (off)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-3P
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    425ns
  • Leistung - max
    223W
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-3
  • Andere Namen
    1560-1217-1
    1560-1217-1-ND
    1560-1217-5
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabetyp
    Standard
  • IGBT-Typ
    Trench Field Stop
  • Gate-Ladung
    180nC
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT Trench Field Stop 1350V 40A 223W Through Hole TO-3P
  • Strom - Collector Pulsed (Icm)
    60A
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    40A
GPA801HC0G

GPA801HC0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
GPA801 C0G

GPA801 C0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
GPA030A120I-FD

GPA030A120I-FD

Beschreibung: IGBT 1200V 60A 329W TO247

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
GPA802HC0G

GPA802HC0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
GPA030A135MN-FDR

GPA030A135MN-FDR

Beschreibung: IGBT 1350V 60A 329W TO3PN

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
GPA042A100L-ND

GPA042A100L-ND

Beschreibung: IGBT 1000V 60A 463W TO264

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
GPA040A120L-FD

GPA040A120L-FD

Beschreibung: IGBT 1200V 80A 480W TO264

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
GPA801DT-TP

GPA801DT-TP

Beschreibung: DIODE GPP 8A D2PAK

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
GPA801-BP

GPA801-BP

Beschreibung: DIODE GPP 8A TO220AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
GPA802DT-TP

GPA802DT-TP

Beschreibung: DIODE GPP 8A D2PAK

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
GPA060A060MN-FD

GPA060A060MN-FD

Beschreibung: IGBT 600V 120A 347W TO3PN

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
GPA015A120MN-ND

GPA015A120MN-ND

Beschreibung: IGBT 1200V 30A 212W TO3PN

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GPA802 C0G

GPA802 C0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
GPA040A120L-ND

GPA040A120L-ND

Beschreibung: IGBT 1200V 80A 455W TO264

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
GPA2000-0.010-02-0816

GPA2000-0.010-02-0816

Beschreibung: THERM PAD 406.4MMX203.2MM GRAY

Hersteller: Bergquist
vorrätig
GPA030A120MN-FD

GPA030A120MN-FD

Beschreibung: IGBT 1200V 60A 329W TO3PN

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
GPA020A120MN-FD

GPA020A120MN-FD

Beschreibung: IGBT 1200V 40A 223W TO3PN

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
GPA802-BP

GPA802-BP

Beschreibung: DIODE GPP 8A TO220AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
GPA040A120MN-FD

GPA040A120MN-FD

Beschreibung: IGBT 1200V 80A 480W TO3PN

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
GPA025A120MN-ND

GPA025A120MN-ND

Beschreibung: IGBT 1200V 50A 312W TO3PN

Hersteller: Global Power Technologies Group
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