Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

*Unternehmen
*Name
*Titel

*E-Mail-Addresse
*Telefonnummer

*Land
*Kontaktfenster
*Ereignisdatum

*Nachricht

Für Besucher von Electronica 2024

Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.

Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > DMG4800LK3-13

RFQs/Bestellung (0)

Deutsch

Deutsch

4213853

DMG4800LK3-13-Bild.

Diodes Incorporated

DMG4800LK3-13

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig

2500+

$0.223

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

DMG4800LK3-13
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 10A TO252
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS-konform
Datenblätte

DMG4800LK3-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1.6V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-252-3
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

17 mOhm @ 9A, 10V
Verlustleistung (max)

1.71W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

DMG4800LK3-13DITR
DMG4800LK313
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

798pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.7nC @ 5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 10A (Ta) 1.71W (Ta) Surface Mount TO-252-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

10A (Ta)

relevante Nachrichten
Versand
Zahlungsmittel

Anthropic erhält eine weitere Investition von 4 Milliarden...

SEMI: Der Umsatz von IC im dritten Quartal um 12%, das ...

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

Versand

Zahlung

Das Folgende sind "DMG4800LK3-13" -Einziper.

DMG4N60SK3-13

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252 T&

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4N65CT

DMG4N65CT

Beschreibung: MOSFET N CH 650V 4A TO220-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4468LFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7.62A DFN3030-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4N60SCT

DMG4N60SCT

Beschreibung: MOSFET NCH 600V 4.5A TO220

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4468LFG

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4822SSDQ-13

Beschreibung: MOSFETDUAL N-CHAN 30VSO-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4466SSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4511SK4-13

DMG4511SK4-13

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4496SSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4N60SJ3

DMG4N60SJ3

Beschreibung: MOSFET NCH 600V 3A TO251

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4N65CTI

DMG4N65CTI

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4812SSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4800LFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4710SSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12.7A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4822SSD-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4932LSD-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 9.5A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4466SSSL-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4468LK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4800LSD-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4712SSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.

Folgen Sie uns.

Terms & Bedingungen Verstoßpolitik Fordern Sie ein Angebot an Über uns Kontaktiere uns Seitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.