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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Arrays > DMG4800LSD-13

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DMG4800LSD-13-Bild.

Diodes Incorporated

DMG4800LSD-13

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Spezifikation

Artikelnummer

DMG4800LSD-13
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMG4800LSD-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1.6V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

8-SOP
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

16 mOhm @ 9A, 10V
Leistung - max

1.17W
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

DMG4800LSD-13DIDKR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

798pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.56nC @ 5V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7.5A 1.17W Surface Mount 8-SOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

7.5A
Basisteilenummer

DMG4800LSD

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Das Folgende sind "DMG4800LSD-13" -Einziper.

DMG4932LSD-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 9.5A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG504010R

Beschreibung: TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SMINI6

Hersteller: Panasonic

vorrätig

DMG4712SSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4N60SCT

DMG4N60SCT

Beschreibung: MOSFET NCH 600V 4.5A TO220

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4N65CTI

DMG4N65CTI

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4800LK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 10A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4812SSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4496SSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4822SSDQ-13

Beschreibung: MOSFETDUAL N-CHAN 30VSO-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4N60SK3-13

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252 T&

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4468LK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4466SSSL-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4468LFG

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4822SSD-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4800LFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4511SK4-13

DMG4511SK4-13

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4N65CT

DMG4N65CT

Beschreibung: MOSFET N CH 650V 4A TO220-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4468LFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7.62A DFN3030-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4710SSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12.7A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4N60SJ3

DMG4N60SJ3

Beschreibung: MOSFET NCH 600V 3A TO251

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

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