GP1M011A050FH

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Spezifikation

Artikelnummer

GP1M011A050FH
Hersteller / Marke

SemiQ
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 500V 11A TO220F
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

GP1M011A050FH.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220F
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

670 mOhm @ 5.5A, 10V
Verlustleistung (max)

51.4W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3 Full Pack
Andere Namen

1560-1178-1
1560-1178-1-ND
1560-1178-5
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1423pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

500V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 500V 11A (Tc) 51.4W (Tc) Through Hole TO-220F
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

11A (Tc)

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Das Folgende sind "GP1M011A050FH" -Einziper.

GP1M012A060FH

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M011A050FH

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