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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > APT100M50J

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APT100M50J-Bild.

Microsemi

APT100M50J

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vorrätig

20+

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Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

APT100M50J
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.APT100M50J.pdf
2.APT100M50J.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 5mA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-227
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

38 mOhm @ 75A, 10V
Verlustleistung (max)

960W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

SOT-227-4, miniBLOC
Andere Namen

APT100M50JMI
APT100M50JMI-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

17 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

24600pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

620nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

500V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 500V 103A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

103A (Tc)

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Das Folgende sind "APT100M50J" -Einziper.

APT100S20LCTG

Beschreibung: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT100GT120JRDQ4

APT100GT120JRDQ4

Beschreibung: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT100GT120JR

Beschreibung: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT100GN60B2G

Beschreibung: IGBT 600V 229A 625W TMAX

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT100MC120JCU2

APT100MC120JCU2

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT100S20BG

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT100GT60JRDQ4

APT100GT60JRDQ4

Beschreibung: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT100GT120JU2

Beschreibung: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT10M09B2VFRG

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT106N60B2C6

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT102GA60L

Beschreibung: IGBT 600V 183A 780W TO264

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT100GT60B2RG

Beschreibung: IGBT 600V 148A 500W SOT247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT10M07JVR

APT10M07JVR

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT10M11B2VFRG

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT102GA60B2

Beschreibung: IGBT 600V 183A 780W TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT100GT60JR

Beschreibung: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT100GN120JDQ4

APT100GN120JDQ4

Beschreibung: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT100GN60LDQ4G

APT100GN60LDQ4G

Beschreibung: IGBT 600V 229A 625W TO264

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT10DC120HJ

Beschreibung: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT100GT120JU3

Beschreibung: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

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