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6667210APT102GA60B2-Bild.Microsemi

APT102GA60B2

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT102GA60B2
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IGBT 600V 183A 780W TO247
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    APT102GA60B2.pdf
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    600V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.5V @ 15V, 62A
  • Testbedingung
    400V, 62A, 4.7 Ohm, 15V
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C
    28ns/212ns
  • Schaltenergie
    1.354mJ (on), 1.614mJ (off)
  • Serie
    POWER MOS 8™
  • Leistung - max
    780W
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-247-3 Variant
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabetyp
    Standard
  • IGBT-Typ
    PT
  • Gate-Ladung
    294nC
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT PT 600V 183A 780W Through Hole
  • Strom - Collector Pulsed (Icm)
    307A
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    183A

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Das Folgende sind "APT102GA60B2" -Einziper.
APT106N60B2C6

APT106N60B2C6

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT100GT120JRDQ4

APT100GT120JRDQ4

Beschreibung: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT10M07JVR

APT10M07JVR

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT10M11JVR

APT10M11JVR

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT10M11B2VFRG

APT10M11B2VFRG

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT10DC120HJ

APT10DC120HJ

Beschreibung: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT100M50J

APT100M50J

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT100S20BG

APT100S20BG

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT100GT60JR

APT100GT60JR

Beschreibung: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT102GA60L

APT102GA60L

Beschreibung: IGBT 600V 183A 780W TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT100GT60B2RG

APT100GT60B2RG

Beschreibung: IGBT 600V 148A 500W SOT247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT100GT120JU2

APT100GT120JU2

Beschreibung: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT100GT120JU3

APT100GT120JU3

Beschreibung: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT100S20LCTG

APT100S20LCTG

Beschreibung: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT100GT60JRDQ4

APT100GT60JRDQ4

Beschreibung: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT10SCD120B

APT10SCD120B

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT100MC120JCU2

APT100MC120JCU2

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
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