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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Brücke-Gleichrichter > APT10DC120HJ

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APT10DC120HJ-Bild.

Microsemi

APT10DC120HJ

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vorrätig

100+

$46.194

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

APT10DC120HJ
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

APT10DC120HJ.pdf
Spannung - Spitzensperr- (max)

1.2kV
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 10A
Technologie

Silicon Carbide Schottky
Supplier Device-Gehäuse

SOT-227
Serie

-
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

SOT-227-4, miniBLOC
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp

Single Phase
detaillierte Beschreibung

Bridge Rectifier Single Phase Silicon Carbide Schottky 1.2kV Chassis Mount SOT-227
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

200µA @ 1200V
Strom - Richt (Io)

10A

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Das Folgende sind "APT10DC120HJ" -Einziper.

APT106N60B2C6

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT100MC120JCU2

APT100MC120JCU2

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT10SCD120K

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT100S20LCTG

Beschreibung: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT10M09B2VFRG

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT10M07JVR

APT10M07JVR

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT100GT60JRDQ4

APT100GT60JRDQ4

Beschreibung: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT10M11JVR

APT10M11JVR

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT100GT60JR

Beschreibung: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT100GT60B2RG

Beschreibung: IGBT 600V 148A 500W SOT247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT100M50J

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT10M11JVRU2

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT100S20BG

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT10SCD120B

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT102GA60B2

Beschreibung: IGBT 600V 183A 780W TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT10M11JVRU3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT10SCD65K

Beschreibung: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT10M11B2VFRG

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT102GA60L

Beschreibung: IGBT 600V 183A 780W TO264

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT10SCD120BCT

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

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