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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > APT106N60B2C6

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APT106N60B2C6-Bild.

Microsemi

APT106N60B2C6

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Spezifikation

Artikelnummer

APT106N60B2C6
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 106A TO-247
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

APT106N60B2C6.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3.5V @ 3.4mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

T-MAX™ [B2]
Serie

CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

35 mOhm @ 53A, 10V
Verlustleistung (max)

833W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-247-3 Variant
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

18 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

8390pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

308nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 106A (Tc) 833W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

106A (Tc)

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Das Folgende sind "APT106N60B2C6" -Einziper.

APT100MC120JCU2

APT100MC120JCU2

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT100GT60JR

Beschreibung: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT100S20LCTG

Beschreibung: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT10M11JVRU3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT100S20BG

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT100GT60JRDQ4

APT100GT60JRDQ4

Beschreibung: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT102GA60L

Beschreibung: IGBT 600V 183A 780W TO264

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT10M09B2VFRG

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT10M11JVR

APT10M11JVR

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT10SCD120B

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT100GT60B2RG

Beschreibung: IGBT 600V 148A 500W SOT247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT10M07JVR

APT10M07JVR

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT100M50J

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT10M11JVRU2

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT102GA60B2

Beschreibung: IGBT 600V 183A 780W TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT10DC120HJ

Beschreibung: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

Hersteller: Microsemi

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APT100GT120JU3

Beschreibung: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT10SCD120K

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT10SCD120BCT

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT10M11B2VFRG

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Hersteller: Microsemi

vorrätig

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