Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > APT60D120BG
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
2519331APT60D120BG-Bild.Microsemi

APT60D120BG

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
1+
$8.41
30+
$6.894
120+
$6.221
510+
$5.213
1020+
$4.54
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT60D120BG
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    APT60D120BG.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    2.5V @ 60A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    1200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-247 [B]
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    400ns
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-247-2
  • Andere Namen
    APT60D120BGMI
    APT60D120BGMI-ND
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    26 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 1200V 60A Through Hole TO-247 [B]
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    250µA @ 1200V
  • Strom - Richt (Io)
    60A
  • Kapazität @ Vr, F
    -

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "APT60D120BG" -Einziper.
APT6030BN

APT6030BN

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT60D30LCTG

APT60D30LCTG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 300V 60A TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT6040BNG

APT6040BNG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT6017LFLLG

APT6017LFLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT60D60LCTG

APT60D60LCTG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 600V 60A TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT60D40LCTG

APT60D40LCTG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 400V 60A TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT60D40BG

APT60D40BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 60A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT6040BN

APT6040BN

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT60D60BG

APT60D60BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 60A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT60D120SG

APT60D120SG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A D3

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
APT6017LLLG

APT6017LLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
APT6013LLLG

APT6013LLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 43A TO-264

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
APT60D100BG

APT60D100BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT60D20BG

APT60D20BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 60A TO247

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
APT60D20LCTG

APT60D20LCTG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 200V 60A TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT60D100LCTG

APT60D100LCTG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1000V 60A TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT60D100SG

APT60D100SG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 60A D3

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
APT60D30BG

APT60D30BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 60A TO247

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
APT6013JLL

APT6013JLL

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
APT60DF100HJ

APT60DF100HJ

Beschreibung: MOD DIODE 1000V SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.