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6760545RQ6E030ATTCR-Bild.LAPIS Semiconductor

RQ6E030ATTCR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RQ6E030ATTCR
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CH 30V 3A TSMT
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.RQ6E030ATTCR.pdf
    2.RQ6E030ATTCR.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TSMT6 (SC-95)
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    91 mOhm @ 3A, 10V
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SC-74, SOT-457
  • Andere Namen
    RQ6E030ATTCRTR
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    240pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    5.4nC @ 10V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 30V Surface Mount TSMT6 (SC-95)
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    -

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Das Folgende sind "RQ6E030ATTCR" -Einziper.
NTMFS6H801NT1G

NTMFS6H801NT1G

Beschreibung: TRENCH 8 80V NFET

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NTD65N03R-035

NTD65N03R-035

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 9.5A IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
TPC8035-H(TE12L,QM

TPC8035-H(TE12L,QM

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
IRFZ44NSTRLPBF

IRFZ44NSTRLPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
STF7NM80

STF7NM80

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 6.5A TO-220FP

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
RQ6P015SPTR

RQ6P015SPTR

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RQ6C050BCTCR

RQ6C050BCTCR

Beschreibung: PCH -20V -5A MIDDLE POWER MOSFET

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RQ6E050ATTCR

RQ6E050ATTCR

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RQ6C050UNTR

RQ6C050UNTR

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 5A TSMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RQ6E085BNTCR

RQ6E085BNTCR

Beschreibung: NCH 30V 8.5A MIDDLE POWER MOSFET

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
FQPF19N10L

FQPF19N10L

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 13.6A TO-220F

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
RQ6C065BCTCR

RQ6C065BCTCR

Beschreibung: PCH -20V -6.5A MIDDLE POWER MOSF

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RQ6E045BNTCR

RQ6E045BNTCR

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
IRFP23N50L

IRFP23N50L

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 23A TO-247AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
IXFQ30N60X

IXFQ30N60X

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30A TO3P

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IRF614STRR

IRF614STRR

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
IPB019N06L3GATMA1

IPB019N06L3GATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
RQ6E055BNTCR

RQ6E055BNTCR

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
NVTFS4824NWFTWG

NVTFS4824NWFTWG

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 69A U8FL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
RQ6E035ATTCR

RQ6E035ATTCR

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
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