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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > RQ6E085BNTCR

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RQ6E085BNTCR-Bild.

LAPIS Semiconductor

RQ6E085BNTCR

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Spezifikation

Artikelnummer

RQ6E085BNTCR
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

NCH 30V 8.5A MIDDLE POWER MOSFET
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.RQ6E085BNTCR.pdf
2.RQ6E085BNTCR.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-457
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

14.4 mOhm @ 8.5A, 10V
Verlustleistung (max)

1.25W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SC-74, SOT-457
Andere Namen

RQ6E085BNTCRTR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1350pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32.7nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 8.5A (Tc) 1.25W (Tc) Surface Mount SOT-457
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

8.5A (Tc)

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Das Folgende sind "RQ6E085BNTCR" -Einziper.

RQ6P015SPTR

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

IRFD224PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RQ6E030ATTCR

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

PSMN7R6-60PS,127

PSMN7R6-60PS,127

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 92A TO220AB

Hersteller: Nexperia

vorrätig

RQ6C050UNTR

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 5A TSMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

NP80N055KLE-E1-AY

NP80N055KLE-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 80A TO-263

Hersteller: Renesas Electronics America

vorrätig

RQ6C065BCTCR

Beschreibung: PCH -20V -6.5A MIDDLE POWER MOSF

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RQ6E045BNTCR

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

EPC2031ENGRT

Beschreibung: MOSFET NCH 60V 31A DIE

Hersteller: EPC

vorrätig

RQ6C050BCTCR

Beschreibung: PCH -20V -5A MIDDLE POWER MOSFET

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

MCH3376-TL-E

Beschreibung: MOSFET P-CH 8A 20V MCPH3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RQ6E055BNTCR

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RQ6E035ATTCR

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

IRFPS3810

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IRL2203NSPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

SIR418DP-T1-GE3

SIR418DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

AOD452

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 55A TO-252

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

vorrätig

IPI50R199CPXKSA1

IPI50R199CPXKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 17A TO262

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RQ6E050ATTCR

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

FQD30N06TM

FQD30N06TM

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

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