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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > RQ6E035ATTCR

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RQ6E035ATTCR-Bild.

LAPIS Semiconductor

RQ6E035ATTCR

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Spezifikation

Artikelnummer

RQ6E035ATTCR
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.RQ6E035ATTCR.pdf
2.RQ6E035ATTCR.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TSMT6 (SC-95)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

50 mOhm @ 3.5A, 10V
Verlustleistung (max)

1.25W (Ta)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Andere Namen

RQ6E035ATTCRDKR
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

475pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 30V 3.5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

3.5A (Ta)

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Das Folgende sind "RQ6E035ATTCR" -Einziper.

DMP3056L-7

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

IRFIZ44G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

STD130N4F6AG

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 80A DPAK

Hersteller: STMicroelectronics

vorrätig

IRFI1310NPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 24A TO220FP

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

JANTX2N6760

JANTX2N6760

Beschreibung: MOSFET N-CH TO-204AA TO-3

Hersteller: Microsemi

vorrätig

IXFC60N20

IXFC60N20

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 60A ISOPLUS220

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

BUK9M23-80EX

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 37A LFPAK

Hersteller: Nexperia

vorrätig

RQ6C050BCTCR

Beschreibung: PCH -20V -5A MIDDLE POWER MOSFET

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

SPP03N60S5XKSA1

SPP03N60S5XKSA1

Beschreibung: LOW POWER_LEGACY

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RQ6E055BNTCR

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

IPB017N08N5ATMA1

IPB017N08N5ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RQ6C065BCTCR

Beschreibung: PCH -20V -6.5A MIDDLE POWER MOSF

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

IRFR812TRPBF

IRFR812TRPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RQ6E030ATTCR

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RQ6P015SPTR

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RQ6C050UNTR

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 5A TSMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RQ6E050ATTCR

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RQ6E085BNTCR

Beschreibung: NCH 30V 8.5A MIDDLE POWER MOSFET

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

SSM3K35AFS,LF

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 20V 250MA SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RQ6E045BNTCR

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

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