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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > RQ6C050UNTR

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2297446

RQ6C050UNTR-Bild.

LAPIS Semiconductor

RQ6C050UNTR

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Spezifikation

Artikelnummer

RQ6C050UNTR
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 20V 5A TSMT
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.RQ6C050UNTR.pdf
2.RQ6C050UNTR.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA
Vgs (Max)

±10V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TSMT6 (SC-95)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

30 mOhm @ 5A, 4.5V
Verlustleistung (max)

1.25W (Ta)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Andere Namen

RQ6C050UNDKR
RQ6C050UNTRDKR
RQ6C050UNTRDKR-ND
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 20V 5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

5A (Ta)

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Das Folgende sind "RQ6C050UNTR" -Einziper.

IRFZ44NSTRRPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RQ6E035ATTCR

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

IPB180N06S4H1ATMA2

IPB180N06S4H1ATMA2

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

FQI2P25TU

Beschreibung: MOSFET P-CH 250V 2.3A I2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

IRFIBF30G

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RQ6P015SPTR

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RSD160P05TL

Beschreibung: MOSFET P-CH 45V 16A CPT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

IRFS7530TRL7PP

Beschreibung: MOSFET N CH 60V 240A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IRF9Z34NLPBF

Beschreibung: MOSFET P-CH 55V 19A TO-262

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

SQM25N15-52_GE3

SQM25N15-52_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 25A TO263

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RQ6C050BCTCR

Beschreibung: PCH -20V -5A MIDDLE POWER MOSFET

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RQ6E085BNTCR

Beschreibung: NCH 30V 8.5A MIDDLE POWER MOSFET

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

IRFPC50LC

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RQ6C065BCTCR

Beschreibung: PCH -20V -6.5A MIDDLE POWER MOSF

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

NVMFS6B14NT3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 15A SO8FL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RQ6E055BNTCR

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RQ6E030ATTCR

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RQ6E045BNTCR

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RQ6E050ATTCR

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

TPH6R004PL,LQ

TPH6R004PL,LQ

Beschreibung: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

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