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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > RQ6E050ATTCR

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692408

RQ6E050ATTCR-Bild.

LAPIS Semiconductor

RQ6E050ATTCR

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Spezifikation

Artikelnummer

RQ6E050ATTCR
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 30V 5A TSMT
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.RQ6E050ATTCR.pdf
2.RQ6E050ATTCR.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TSMT6 (SC-95)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

27 mOhm @ 5A, 10V
Verlustleistung (max)

1.25W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Andere Namen

RQ6E050ATTCRTR
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

940pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20.8nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 30V 5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

5A (Ta)

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Das Folgende sind "RQ6E050ATTCR" -Einziper.

RQ6E030ATTCR

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RQ6E045BNTCR

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RQ6E035ATTCR

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

FQAF58N08

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 44A TO-3PF

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RQ6E085BNTCR

Beschreibung: NCH 30V 8.5A MIDDLE POWER MOSFET

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

PSMN2R0-30YL,115

PSMN2R0-30YL,115

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK

Hersteller: Nexperia

vorrätig

BUK7230-55A,118

BUK7230-55A,118

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 38A DPAK

Hersteller: Nexperia

vorrätig

AOWF11N70

Beschreibung: MOSFET N-CH 700V 11A TO262F

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

vorrätig

PMN50XP,165

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4.8A 6TSOP

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale

vorrätig

SPP07N60C3HKSA1

SPP07N60C3HKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V TO-220AB

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

PMV230ENEAR

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V TO-236AB

Hersteller: Nexperia

vorrätig

RQ6E055BNTCR

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

IRFS4310ZTRLPBF

IRFS4310ZTRLPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RQ6P015SPTR

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RQ6C050UNTR

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 5A TSMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RQ6C065BCTCR

Beschreibung: PCH -20V -6.5A MIDDLE POWER MOSF

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

IPP60R080P7XKSA1

IPP60R080P7XKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RQ6C050BCTCR

Beschreibung: PCH -20V -5A MIDDLE POWER MOSFET

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

AUIRFB3806

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 43A TO-220AB

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IXTQ32N65X

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 32A TO-3P

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

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