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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > RQ6E055BNTCR

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397943

RQ6E055BNTCR-Bild.

LAPIS Semiconductor

RQ6E055BNTCR

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Spezifikation

Artikelnummer

RQ6E055BNTCR
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.RQ6E055BNTCR.pdf
2.RQ6E055BNTCR.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TSMT6 (SC-95)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

25 mOhm @ 5.5A, 10V
Verlustleistung (max)

1.25W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Andere Namen

RQ6E055BNTCRTR
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

355pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.6nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 5.5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

5.5A (Ta)

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Das Folgende sind "RQ6E055BNTCR" -Einziper.

CSD19538Q3AT

CSD19538Q3AT

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 15A VSONP

Hersteller: Luminary Micro / Texas Instruments

vorrätig

DMP3015LSS-13

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

NTD20P06L-001

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 15.5A IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RQ6P015SPTR

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RQ6C050BCTCR

Beschreibung: PCH -20V -5A MIDDLE POWER MOSFET

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RQ6C050UNTR

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 5A TSMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

NTGS3136PT1G

NTGS3136PT1G

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-TSOP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RQ6E045BNTCR

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RQ6E085BNTCR

Beschreibung: NCH 30V 8.5A MIDDLE POWER MOSFET

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

IRF9640STRRPBF

Beschreibung: MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RQ6E050ATTCR

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DMT35M7LFV-7

DMT35M7LFV-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 76A POWERDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

SPI11N60C3XKSA1

SPI11N60C3XKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 11A TO-262

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IRF6644TRPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IRFBA1404P

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RQ6E030ATTCR

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RQ6C065BCTCR

Beschreibung: PCH -20V -6.5A MIDDLE POWER MOSF

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

FDU8796

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

IPB065N15N3GE8187ATMA1

IPB065N15N3GE8187ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RQ6E035ATTCR

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

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