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RQ6E045BNTCR-Bild.

LAPIS Semiconductor

RQ6E045BNTCR

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Spezifikation

Artikelnummer

RQ6E045BNTCR
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.RQ6E045BNTCR.pdf
2.RQ6E045BNTCR.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TSMT6 (SC-95)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

30 mOhm @ 4.5A, 10V
Verlustleistung (max)

1.25W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Andere Namen

RQ6E045BNTCRTR
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

330pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.4nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 4.5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

4.5A (Ta)

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Das Folgende sind "RQ6E045BNTCR" -Einziper.

SI7102DN-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RQ6P015SPTR

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

STP3LN62K3

Beschreibung: MOSFET N-CH 620V 2.5A TO220

Hersteller: STMicroelectronics

vorrätig

FCH110N65F-F155

FCH110N65F-F155

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 35A TO247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RQ6C065BCTCR

Beschreibung: PCH -20V -6.5A MIDDLE POWER MOSF

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

TLC530FTU

TLC530FTU

Beschreibung: MOSFET N-CH 330V 7A TO220-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

HAT2099H-EL-E

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 50A LFPAK

Hersteller: Renesas Electronics America

vorrätig

SISH129DN-T1-GE3

SISH129DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

IPC171N04NX1SA1

IPC171N04NX1SA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 1A SAWN ON FOIL

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RQ6E050ATTCR

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

IRLMS1902TRPBF

IRLMS1902TRPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IXFN44N100P

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

FDS6299S

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NTMFS4744NT3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7A SO-8FL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RQ6E030ATTCR

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RQ6E055BNTCR

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RQ6C050UNTR

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 5A TSMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RQ6E035ATTCR

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RQ6C050BCTCR

Beschreibung: PCH -20V -5A MIDDLE POWER MOSFET

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RQ6E085BNTCR

Beschreibung: NCH 30V 8.5A MIDDLE POWER MOSFET

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

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